NS2029M3T5G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NS2029M3T5G  📄📄 

Маркировка: 9F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT723

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NS2029M3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NS2029M3T5G даташит

 ..1. Size:69K  onsemi
 ns2029m3t5g.pdf pdf_icon

NS2029M3T5G

NS2029M3T5G PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board http //onsemi.com space is at a premium. Reduces Board Space High hFE, 210 - 460 (Typical) PNP GENERAL Low VCE(sat),

 6.1. Size:116K  onsemi
 ns2029m3.pdf pdf_icon

NS2029M3T5G

NS2029M3 PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor This PNP transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-723 package which is designed for low power surface mount applications, where board www.onsemi.com space is at a premium. Features PNP GENERAL Reduces Board Space PURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typical)

Другие транзисторы: NXP3875G, NXP3875Y, NZT44H8, NZT45H8, N0501S, NJD1718T4G, NJD2873T4G, NJD35N04G, BC558, NSVT30010MXV6T1G, NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DXV6T1G, NSVT3946DP6T5G, NSVT3946DXV6T1G, NSVT45010MW6T1G, NSVT45010MW6T3G, NSVT45011MW6T3G