NSVT65010MW6T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSVT65010MW6T1G  📄📄 

Маркировка: 4G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: SOT363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSVT65010MW6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVT65010MW6T1G даташит

 0.1. Size:70K  onsemi
 nsvt65010mw6t1g.pdf pdf_icon

NSVT65010MW6T1G

NST65010MW6 Dual Matched General Purpose Transistor PNP Matched Pair These transistors are housed in an ultra-small SOT-363 package www.onsemi.com ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, 6 Sense and Balanced Amplifiers

 6.1. Size:70K  onsemi
 nsvt65011mw6t1g.pdf pdf_icon

NSVT65010MW6T1G

NST65011MW6 Dual Matched General Purpose Transistor NPN Matched Pair These transistors are housed in an ultra-small SOT-363 package www.onsemi.com ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, Sense and Balanced Amplifiers; M

Другие транзисторы: NSVT3904DP6T5G, NSVT3904DXV6T1G, NSVT3946DP6T5G, NSVT3946DXV6T1G, NSVT45010MW6T1G, NSVT45010MW6T3G, NSVT45011MW6T3G, NSVT489AMT1G, C3198, NSVT65011MW6T1G, NJL0281DG, NJL0302DG, NJL1302DG, NJL3281DG, NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G