NSL12AWT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSL12AWT1G

Маркировка: 11

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NSL12AWT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSL12AWT1G даташит

 ..1. Size:125K  onsemi
 nsl12awt1g.pdf pdf_icon

NSL12AWT1G

NSL12AWT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications http //onsemi.com Features High Current Capability (3 A) 12 VOLTS High Power Handling (Up to 650 mW) 3.0 AMPS Low VCE(s) (170 mV Typical @ 1 A) Small Size PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 1

 7.1. Size:125K  onsemi
 nsl12aw-d.pdf pdf_icon

NSL12AWT1G

NSL12AWT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Low VCE(sat) Transistor for Battery Operated Applications http //onsemi.com Features High Current Capability (3 A) 12 VOLTS High Power Handling (Up to 650 mW) 3.0 AMPS Low VCE(s) (170 mV Typical @ 1 A) Small Size PNP TRANSISTOR These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 1

Другие транзисторы: NJL1302DG, NJL3281DG, NJL4281DG, NJL4302DG, NJT4030PT1G, NJT4030PT3G, NJT4031N, NJT4031NT3G, NJW0281G, NSM4002MR6, NSM6056M, NSM80100MT1G, NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G