Справочник транзисторов. NSV12100XV6T1G

 

Биполярный транзистор NSV12100XV6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV12100XV6T1G
   Маркировка: VE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSV12100XV6T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV12100XV6T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  onsemi
 nsv12100xv6t1g.pdf pdf_icon

NSV12100XV6T1G

NSS12100XV6T1G12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 6.1. Size:66K  onsemi
 nsv12100uw3tcg.pdf pdf_icon

NSV12100XV6T1G

NSS12100UW3TCG12 V, 1 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

Другие транзисторы... NSM80101MT1G , NSS12100M3 , NSS12100UW3TCG , NSS12100XV6 , NSS12200LT1G , NSS12200W , NSS12201LT1G , NSV12100UW3TCG , A1266 , NSV1C200LT1G , NSV1C200MZ4T1G , NSV1C201LT1G , NSV1C201MZ4T1G , NSV1C300ET4G , NSV1C301ET4G , NSV20101JT1G , NSV20200LT1G .

 

 
Back to Top

 


 
.