NSV12100XV6T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NSV12100XV6T1G  📄📄 

Маркировка: VE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT563

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NSV12100XV6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSV12100XV6T1G даташит

 ..1. Size:100K  onsemi
 nsv12100xv6t1g.pdf pdf_icon

NSV12100XV6T1G

NSS12100XV6T1G 12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

 6.1. Size:66K  onsemi
 nsv12100uw3tcg.pdf pdf_icon

NSV12100XV6T1G

NSS12100UW3TCG 12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is importa

Другие транзисторы: NSM80101MT1G, NSS12100M3, NSS12100UW3TCG, NSS12100XV6, NSS12200LT1G, NSS12200W, NSS12201LT1G, NSV12100UW3TCG, TIP142, NSV1C200LT1G, NSV1C200MZ4T1G, NSV1C201LT1G, NSV1C201MZ4T1G, NSV1C300ET4G, NSV1C301ET4G, NSV20101JT1G, NSV20200LT1G