Биполярный транзистор NSV1C200LT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSV1C200LT1G
Маркировка: VL
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.71 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для NSV1C200LT1G
NSV1C200LT1G Datasheet (PDF)
nsv1c200lt1g.pdf
NSS1C200L, NSV1C200L100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is i
nss1c200l nsv1c200l.pdf
NSS1C200L, NSV1C200L100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesewww.onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is i
nsv1c200mz4t1g.pdf
NSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4100 V, 2.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy cont
nss1c200mz4 nsv1c200mz4.pdf
PNP Transistor, Low VCE(sat)100 V, 2.0 ANSS1C200MZ4,NSV1C200MZ4ON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowwww.onsemi.comsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications-100 VOLTS, 2.0 AMPSwhere affordable ef
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050