Справочник транзисторов. NSV20101JT1G

 

Биполярный транзистор NSV20101JT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV20101JT1G
   Маркировка: AA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT490
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSV20101JT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
nsv20101jt1g.pdfpdf_icon

NSV20101JT1G

NSS20101J, NSV20101J20 V, 1.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is

 5.1. Size:105K  onsemi
nss20101j nsv20101j.pdfpdf_icon

NSV20101JT1G

NSS20101J, NSV20101J20 V, 1.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is

 9.1. Size:126K  onsemi
nsv20200lt1g.pdfpdf_icon

NSV20101JT1G

NSS20200LT1G,NSV20200LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These-20 VOLTSare designed for use in low voltage, high speed switching applications4.0 AMPSwhere affordable

 9.2. Size:119K  onsemi
nsv20201lt1g.pdfpdf_icon

NSV20101JT1G

NSS20201LT1G,NSV20201LT1G20 V, 4.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These20 VOLTS 4.0 AMPSare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsNPN LOW VCE(sat) T

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC847BM3T5G | SMUN5235DW | FJC1386 | BC846CMTF | KT3129B9 | DMG56404 | ZTX323

 

 
Back to Top

 


 
.