NJW21194G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NJW21194G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для NJW21194G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJW21194G даташит

 ..1. Size:117K  onsemi
 njw21193g njw21194g.pdf pdf_icon

NJW21194G

NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN) Silicon Power Transistors The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current Gain COMPLEMENTARY SILICON Excellent Gain Linearit

 ..2. Size:444K  cn evvo
 njw21194g.pdf pdf_icon

NJW21194G

NJW21194G Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications Complementary to NJW21193G High collector voltage VCEO=250V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note1 Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) m

 ..3. Size:217K  inchange semiconductor
 njw21194g.pdf pdf_icon

NJW21194G

isc Silicon NPN Power Transistor NJW21194G DESCRIPTION Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 6.1. Size:90K  onsemi
 njw21193 njw21194.pdf pdf_icon

NJW21194G

NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN) Preferred Devices Silicon Power Transistors The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJVMJB42CT4G, NJVMJB44H11T4G, NJVMJB45H11T4G, NJVNJD2873T4G, NJVNJD35N04G, NJVNJD35N04T4G, NJW1302G, NJW21193G, C1815, NJW3281G, NJW44H11, NJW44H11G, NJVNJD1718T4G, NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, NSS20501UW3T2G