NJW21194G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NJW21194G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3P
Аналоги (замена) для NJW21194G
NJW21194G Datasheet (PDF)
njw21193g njw21194g.pdf
NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN) Silicon Power Transistors The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current Gain COMPLEMENTARY SILICON Excellent Gain Linearit
njw21194g.pdf
NJW21194G Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications Complementary to NJW21193G High collector voltage VCEO=250V (min) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier Output stage Note1 Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) m
njw21194g.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor NJW21194G DESCRIPTION Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor For audio amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
njw21193 njw21194.pdf
NJW21193G (PNP) NJW21194G (NPN) Preferred Devices Silicon Power Transistors The NJW21193G and NJW21194G utilize Perforated Emitter technology and are specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications. http //onsemi.com Features Total Harmonic Distortion Characterized 16 AMPERES High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE
Другие транзисторы... NJVMJB42CT4G , NJVMJB44H11T4G , NJVMJB45H11T4G , NJVNJD2873T4G , NJVNJD35N04G , NJVNJD35N04T4G , NJW1302G , NJW21193G , C1815 , NJW3281G , NJW44H11 , NJW44H11G , NJVNJD1718T4G , NSS20300MR6 , NSS20500UW3T2G , NSS20500UW3TBG , NSS20501UW3T2G .
History: 2SC4842 | 2SC2991 | 2SA1200 | 2SD1890 | BFW70 | KRA106M | NTE100
History: 2SC4842 | 2SC2991 | 2SA1200 | 2SD1890 | BFW70 | KRA106M | NTE100
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291






