Биполярный транзистор NJW44H11G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NJW44H11G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 85 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO3P
Аналоги (замена) для NJW44H11G
NJW44H11G Datasheet (PDF)
njw44h11g.pdf
NJW44H11G80 V NPN, 10 A Power TransistorThese series of plastic, silicon NPN power transistors can be used asgeneral purpose power amplification and switching such as output ordriver stages in applications such as switching regulators, convertershttp://onsemi.comand power amplifiers.Features80 VOLT, 10 AMPS Fast Switching SpeedsNPN POWER TRANSISTORS High Frequency
njw44h11-g.pdf
NJW44H11G80 V NPN, 10 A Power TransistorThese series of plastic, silicon NPN power transistors can be used asgeneral purpose power amplification and switching such as output ordriver stages in applications such as switching regulators, convertershttp://onsemi.comand power amplifiers.Features80 VOLT, 10 AMPS Fast Switching SpeedsNPN POWER TRANSISTORS High Frequency
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
