Справочник транзисторов. NSS40300DDR2G

 

Биполярный транзистор NSS40300DDR2G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS40300DDR2G
   Маркировка: 40300
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOIC8
 

 Аналог (замена) для NSS40300DDR2G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40300DDR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  onsemi
nss40300ddr2g.pdfpdf_icon

NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2GDual 40 V, 6.0 A, LowVCE(sat) PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedhttp://onsemi.comfor use in low voltage, high speed switching applications whereaffordable efficient energy control is important.

 5.1. Size:104K  onsemi
nss40300d.pdfpdf_icon

NSS40300DDR2G

NSS40300DDR2GDual 40 V, 6.0 A, LowVCE(sat) PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturationvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedhttp://onsemi.comfor use in low voltage, high speed switching applications whereaffordable efficient energy control is important.

 6.1. Size:106K  onsemi
nss40300md.pdfpdf_icon

NSS40300DDR2G

NSS40300MDR2GDual Matched 40 V, 6.0 A,Low VCE(sat) PNP TransistorThese transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdgefamily of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pairof devices highly matched in all parameters, including ultra lowsaturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on http://onsemi.comvoltage.40 VOLTSTypical appl

 6.2. Size:159K  onsemi
nss40300mz4.pdfpdf_icon

NSS40300DDR2G

NSS40300MZ4Bipolar Power Transistors40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation http://onsemi.comvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedfor use in low voltage, high speed switching applications where PNP TRANSISTORaffordable effic

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: LMBTA64LT1G | 2SD283 | CSD471AY | LBSS4240LT1G | 2SA1385-Z

 

 
Back to Top

 


 
.