NSS40300DDR2G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: NSS40300DDR2G
Маркировка: 40300
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150
Корпус транзистора: SOIC8
Аналоги (замена) для NSS40300DDR2G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
NSS40300DDR2G даташит
nss40300ddr2g.pdf
NSS40300DDR2G Dual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed http //onsemi.com for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
nss40300d.pdf
NSS40300DDR2G Dual 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed http //onsemi.com for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
nss40300md.pdf
NSS40300MDR2G Dual Matched 40 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor These transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdge family of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, including ultra low saturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on http //onsemi.com voltage. 40 VOLTS Typical appl
nss40300mz4.pdf
NSS40300MZ4 Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation http //onsemi.com voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where PNP TRANSISTOR affordable effic
Другие транзисторы: NSS20300MR6, NSS20500UW3T2G, NSS20500UW3TBG, NSS20501UW3T2G, NSS20501UW3TBG, NSS20601CF8T1G, NSS40200LT1G, NSS40201LT1G, TIP3055, NSS40300MDR2G, NJVMJD112G, NJVMJD112T4G, NJVMJD117T4G, NJVMJD122T4G, NJVMJD127T4G, NJVMJD128T4G, NJVMJD148T4G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883








