Справочник транзисторов. NSS40300MDR2G

 

Биполярный транзистор NSS40300MDR2G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS40300MDR2G
   Маркировка: P40300
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 220
   Корпус транзистора: SOIC8
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40300MDR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  onsemi
 nss40300mdr2g.pdf pdf_icon

NSS40300MDR2G

NSS40300MDR2G,NSV40300MDR2GDual Matched 40 V, 6.0 A,Low VCE(sat) PNP TransistorThese transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdgehttp://onsemi.comfamily of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pairof devices highly matched in all parameters, including ultra low40 VOLTSsaturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on6.0 A

 ..2. Size:219K  onsemi
 nss40300mdr2g nsv40300mdr2g.pdf pdf_icon

NSS40300MDR2G

NSS40300MDR2G,NSV40300MDR2GDual Matched 40 V, 6.0 A,Low VCE(sat) PNP TransistorThese transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdgehttp://onsemi.comfamily of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pairof devices highly matched in all parameters, including ultra low40 VOLTSsaturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on6.0 A

 4.1. Size:106K  onsemi
 nss40300md.pdf pdf_icon

NSS40300MDR2G

NSS40300MDR2GDual Matched 40 V, 6.0 A,Low VCE(sat) PNP TransistorThese transistors are part of the ON Semiconductor e2PowerEdgefamily of Low VCE(sat) transistors. They are assembled to create a pairof devices highly matched in all parameters, including ultra lowsaturation voltage VCE(sat), high current gain and Base/Emitter turn on http://onsemi.comvoltage.40 VOLTSTypical appl

 5.1. Size:159K  onsemi
 nss40300mz4.pdf pdf_icon

NSS40300MDR2G

NSS40300MZ4Bipolar Power Transistors40 V, 3.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation http://onsemi.comvoltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designedfor use in low voltage, high speed switching applications where PNP TRANSISTORaffordable effic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: AC153K6 | DTA123YEFRA | DDA113TU | PMD2495 | 3DG12 | BSJ30 | BC857BQ

 

 
Back to Top

 


 
.