NJVMJD3055T4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NJVMJD3055T4G

Маркировка: 3055

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для NJVMJD3055T4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NJVMJD3055T4G даташит

 4.1. Size:128K  onsemi
 njvmjd2955 njvmjd3055.pdf pdf_icon

NJVMJD3055T4G

 7.1. Size:135K  onsemi
 mjd31 njvmjd31t4g mjd31c njvmjd31ct4g mjd32 njvmjd32t4g mjd32c njvmjd32cg njvmjd32ct4g.pdf pdf_icon

NJVMJD3055T4G

 7.2. Size:140K  onsemi
 njvmjd31 njvmjd32.pdf pdf_icon

NJVMJD3055T4G

 7.3. Size:172K  onsemi
 njvmjd340 njvmjd350.pdf pdf_icon

NJVMJD3055T4G

MJD340, NJVMJD340T4G (NPN), MJD350, NJVMJD350T4G (PNP) High Voltage Power http //onsemi.com Transistors DPAK For Surface Mount Applications SILICON Designed for line operated audio output amplifier, switchmode POWER TRANSISTORS power supply drivers and other switching applications. 0.5 AMPERE Features 300 VOLTS, 15 WATTS Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NJVMJD122T4G, NJVMJD127T4G, NJVMJD128T4G, NJVMJD148T4G, NJVMJD210T4G, NJVMJD243T4G, NJVMJD253T4G, NJVMJD2955T4G, S9014, NJVMJD31CG, NJVMJD31CRLG, NJVMJD31CT4G, NJVMJD31T4G, NJVMJD32CG, NJVMJD32CT4G, NJVMJD32T4G, NJVMJD340T4G