Справочник транзисторов. NSBA114TDXV6T1G

 

Биполярный транзистор NSBA114TDXV6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSBA114TDXV6T1G
   Маркировка: 0E
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSBA114TDXV6T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSBA114TDXV6T1G Datasheet (PDF)

 1.1. Size:146K  onsemi
nsba114tdxv6t5g.pdfpdf_icon

NSBA114TDXV6T1G

MUN5115DW1,NSBA114TDXV6,NSBA114TDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 8 kWPIN CONNECTIONSPNP Transistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singleR1 R2device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor with

 1.2. Size:102K  onsemi
nsba114tdxv6t.pdfpdf_icon

NSBA114TDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1,NSBA114EDXV6T5 SERIESPreferred DevicesDual Bias ResistorTransistorsPNP Silicon Surface Mount Transistorshttp://onsemi.comwith Monolithic Bias Resistor Network(3) (2) (1)The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseR1 R2resistor and a base-emitter resistor. These digi

 5.1. Size:99K  onsemi
nsba114tdp6t5g.pdfpdf_icon

NSBA114TDXV6T1G

NSBA114EDP6T5G SeriesPreferred DevicesDual Digital Transistors(BRT)PNP Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor Networkhttp://onsemi.comThis new series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The digital transistor(3) (2) (1)contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

Другие транзисторы... NJVMJD45H11T4G , NJVMJD47T4G , NJVMJD50T4G , NJVMJD6039T4G , NSBA114EDP6T5G , NSBA114EDXV6T1G , NSBA114EF3T5G , NSBA114TDP6T5G , 2SD313 , NSBA114TDXV6T5G , NSBA114TF3T5G , NSBA114YDP6T5G , NSBA114YDXV6T1G , NSBA114YF3T5G , NST30010MXV6T1G , NST3904DP6T5G , NST3904DXV6T1G .

History: HEPS9153 | D60T7030

 

 
Back to Top

 


 
.