NST30010MXV6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NST30010MXV6T1G

Маркировка: UU

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NST30010MXV6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NST30010MXV6T1G даташит

 0.1. Size:102K  onsemi
 nst30010mxv6t1g.pdf pdf_icon

NST30010MXV6T1G

NST30010MXV6T1G, NSVT30010MXV6T1G Dual Matched General Purpose Transistor PNP Matched Pair http //onsemi.com These transistors are housed in an ultra-small SOT563 package ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, Sense a

 0.2. Size:172K  onsemi
 nst30010mxv6t1g nsvt30010mxv6t1g.pdf pdf_icon

NST30010MXV6T1G

NST30010MXV6T1G, NSVT30010MXV6T1G Dual Matched General Purpose Transistor PNP Matched Pair http //onsemi.com These transistors are housed in an ultra-small SOT563 package ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors; Differential, Sense a

Другие транзисторы: NSBA114EF3T5G, NSBA114TDP6T5G, NSBA114TDXV6T1G, NSBA114TDXV6T5G, NSBA114TF3T5G, NSBA114YDP6T5G, NSBA114YDXV6T1G, NSBA114YF3T5G, D209L, NST3904DP6T5G, NST3904DXV6T1G, NST3904DXV6T5G, NST3906DP6T5G, NST3906DXV6T1G, NST3946DP6T5G, NST3946DXV6T1G, NST3946DXV6T5G