Биполярный транзистор NSB1706DMW5T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: NSB1706DMW5T1G
Маркировка: U6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT353
Аналоги (замена) для NSB1706DMW5T1G
NSB1706DMW5T1G Datasheet (PDF)
nsb1706dmw5t1g.pdf
NSB1706DMW5T1GDual Bias ResistorTransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThe Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor withhttp://onsemi.coma monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors aredesigned to replace a single device and its
nsb1706dmw5t1-d.pdf
NSB1706DMW5T1GDual Bias ResistorTransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThe Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor withhttp://onsemi.coma monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors aredesigned to replace a single device and its
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050