Справочник транзисторов. NSB1706DMW5T1G

 

Биполярный транзистор NSB1706DMW5T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSB1706DMW5T1G
   Маркировка: U6
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT353
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSB1706DMW5T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nsb1706dmw5t1g.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1GDual Bias ResistorTransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThe Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor withhttp://onsemi.coma monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors aredesigned to replace a single device and its

 1.1. Size:117K  onsemi
 nsb1706dmw5t1-d.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1GDual Bias ResistorTransistorNPN Silicon Surface Mount Transistorswith Monolithic Bias Resistor NetworkThe Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor withhttp://onsemi.coma monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors aredesigned to replace a single device and its

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: CSD880O | DMA26404 | PTB20166 | HLB125HE | K2121B | BFT31 | MMBT4403M3

 

 
Back to Top

 


 
.