NSB1706DMW5T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSB1706DMW5T1G

Маркировка: U6

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT353

 Аналоги (замена) для NSB1706DMW5T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSB1706DMW5T1G даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
 nsb1706dmw5t1g.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its

 1.1. Size:117K  onsemi
 nsb1706dmw5t1-d.pdf pdf_icon

NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G Dual Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with http //onsemi.com a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its

Другие транзисторы: NSBA123JDXV6, NSBA123JDXV6T5G, NSBA123JF3, NSBA123JF3T5G, NSBA123TDP6, NSBA123TDP6T5G, NSBA123TF3, NSBA123TF3T5G, TIP41, NSB4904DW1T1G, NSB9435T1G, NSBA124EDP6, NSBA124EDP6T5G, NSBA124EDXV6, NSBA124EDXV6T1G, NSBA124EF3, NSBA124EF3T5G