NSB9435T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSB9435T1G

Маркировка: 9435R

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.56 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для NSB9435T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSB9435T1G даташит

 ..1. Size:219K  onsemi
 nsb9435t1g nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 ..2. Size:143K  onsemi
 nsb9435t1g.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1G, NSV9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon http //onsemi.com Features Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJT VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc IC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTS hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 5.1. Size:112K  onsemi
 nsb9435t1-d.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1G High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon Features http //onsemi.com Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc POWER BJT High DC Current Gain - IC = 3.0 AMPERES hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc BVCEO = 30 VOLTS = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc VCE(sat) = 0.275 VOLTS Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat

Другие транзисторы: NSBA123JF3, NSBA123JF3T5G, NSBA123TDP6, NSBA123TDP6T5G, NSBA123TF3, NSBA123TF3T5G, NSB1706DMW5T1G, NSB4904DW1T1G, BC337, NSBA124EDP6, NSBA124EDP6T5G, NSBA124EDXV6, NSBA124EDXV6T1G, NSBA124EF3, NSBA124EF3T5G, NSBA124XDXV6, NSBA124XDXV6T1G