Справочник транзисторов. NSB9435T1G

 

Биполярный транзистор NSB9435T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSB9435T1G
   Маркировка: 9435R
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.56 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT223
 

 Аналог (замена) для NSB9435T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSB9435T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  onsemi
 nsb9435t1g nsv9435t1g.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1G,NSV9435T1GHigh Current Bias ResistorTransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJTVCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcIC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTShFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 AdcVCE(sat) = 0.275 VOLTS= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 ..2. Size:143K  onsemi
 nsb9435t1g.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1G,NSV9435T1GHigh Current Bias ResistorTransistorPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Collector -Emitter Sustaining Voltage - POWER BJTVCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcIC = 3.0 AMPERES High DC Current Gain - BVCEO = 30 VOLTShFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 AdcVCE(sat) = 0.275 VOLTS= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltag

 5.1. Size:112K  onsemi
 nsb9435t1-d.pdf pdf_icon

NSB9435T1G

NSB9435T1GHigh Current Bias ResistorTransistorPNP SiliconFeatureshttp://onsemi.com Collector -Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdcPOWER BJT High DC Current Gain - IC = 3.0 AMPEREShFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 AdcBVCEO = 30 VOLTS= 90 (Min) @ IC = 3.0 AdcVCE(sat) = 0.275 VOLTS Low Collector -Emitter Saturation Voltage - VCE(sat

Другие транзисторы... NSBA123JF3 , NSBA123JF3T5G , NSBA123TDP6 , NSBA123TDP6T5G , NSBA123TF3 , NSBA123TF3T5G , NSB1706DMW5T1G , NSB4904DW1T1G , D882 , NSBA124EDP6 , NSBA124EDP6T5G , NSBA124EDXV6 , NSBA124EDXV6T1G , NSBA124EF3 , NSBA124EF3T5G , NSBA124XDXV6 , NSBA124XDXV6T1G .

History: KT502E

 

 
Back to Top

 


 
.