NSS12500UW3T2G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS12500UW3T2G

Маркировка: VE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 210 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: WDFN3

 Аналоги (замена) для NSS12500UW3T2G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS12500UW3T2G даташит

 ..1. Size:108K  onsemi
 nss12500uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS12500UW3T2G

NSS12500UW3T2G 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

 3.1. Size:108K  onsemi
 nss12500uw3.pdf pdf_icon

NSS12500UW3T2G

NSS12500UW3T2G 12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

 7.1. Size:82K  onsemi
 nss12501uw3-d.pdf pdf_icon

NSS12500UW3T2G

NSS12501UW3T2G 12 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

 7.2. Size:138K  onsemi
 nss12501uw3t2g.pdf pdf_icon

NSS12500UW3T2G

NSS12501UW3T2G 12 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications http //onsemi.com where affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVMMUN2135LT1G, NSVMMUN2212LT1G, NSVMMUN2217LT1G, NSVMMUN2230LT1G, NSVMMUN2232LT1G, NSVMMUN2232LT3G, NSVMMUN2233LT3G, NSVMMUN2235LT1G, 2SC5198, NSS12501UW3T2G, NSS12601CF8T1G, NSS1C200MZ4T1G, NSS1C200MZ4T3G, NSS1C201L, NSS1C201MZ4, NSS1C201MZ4T3G, NSS1C300E