NSS1C300ET4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSS1C300ET4G

Маркировка: 1C30E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для NSS1C300ET4G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS1C300ET4G даташит

 ..1. Size:164K  onsemi
 nss1c300et4g.pdf pdf_icon

NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed www.onsemi.com for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. Typical

 5.1. Size:105K  onsemi
 nss1c300e.pdf pdf_icon

NSS1C300ET4G

NSS1C300ET4G 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed http //onsemi.com for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. Typi

 7.1. Size:160K  onsemi
 nss1c301et4g.pdf pdf_icon

NSS1C300ET4G

NSS1C301ET4G 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where www.onsemi.com affordable efficient energy control is important. Typical

 7.2. Size:114K  onsemi
 nss1c301e.pdf pdf_icon

NSS1C300ET4G

NSS1C301ET4G 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where http //onsemi.com affordable efficient energy control is important. Typi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSS12501UW3T2G, NSS12601CF8T1G, NSS1C200MZ4T1G, NSS1C200MZ4T3G, NSS1C201L, NSS1C201MZ4, NSS1C201MZ4T3G, NSS1C300E, BC639, NSS1C301E, NSS1C301ET4G, NSVMMBT2222ATT1G, NSVMMBT2907AWT1G, NSVMMBT5087LT1G, NSVMMBT5087LT3G, NSVMMBT5088LT3G, NSVMMBT5401LT3G