NSVMMBTH10LT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

NSVMMBTH10LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NSVMMBTH10LT1G
   Маркировка: 3EM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 650 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для NSVMMBTH10LT1G

 

NSVMMBTH10LT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  onsemi
mmbth10lt1g mmbth10-04lt1g nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

 ..2. Size:204K  onsemi
mmbth10lt1g nsvmmbth10lt1g mmbth10-04lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10LT1G

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 ..3. Size:102K  onsemi
nsvmmbth10lt1g.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G, NSVMMBTH10LT1G, MMBTH10LT3G, MMBTH10-4LT1G VHF/UHF Transistor http //onsemi.com NPN Silicon Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable SOT-23 (TO-236) NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring CASE 318 Unique Site and Control Change Requirements STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant*

 3.1. Size:91K  onsemi
mmbth10l mmbth10-4l smmbth10-4l nsvmmbth10l.pdfpdf_icon

NSVMMBTH10LT1G

MMBTH10L, MMBTH10-4L, SMMBTH10-4L, NSVMMBTH10L VHF/UHF Transistor www.onsemi.com NPN Silicon Features S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications SOT-23 (TO-236) Requiring Unique Site and Control Change Requirements; CASE 318 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable STYLE 6 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS COLLECTOR Compliant 3 1 M

Другие транзисторы... NSVMMBT5088LT3G , NSVMMBT5401LT3G , NSVMMBT5401WT1G , NSVMMBT589LT1G , NSVMMBT6429LT1G , NSVMMBT6517LT1G , NSVMMBT6520LT1G , NSVMMBTA05LT1G , B647 , NSVDTA113EM3T5G , NSVDTA114EET1G , NSVDTA114EM3T5G , NSVDTA115EET1G , NSVDTA123EM3T5G , NSVDTA143ZET1G , NSVDTA144EET1G , NSVDTA144WET1G .

History: BU361 | CHDTC124TKGP | DNLS160V

 

 
Back to Top

 


 
.