Справочник транзисторов. NSVDTA114EET1G

 

Биполярный транзистор NSVDTA114EET1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVDTA114EET1G
   Маркировка: 6A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для NSVDTA114EET1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVDTA114EET1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  onsemi
 nsvdta114eet1g.pdf pdf_icon

NSVDTA114EET1G

MUN2111, MMUN2111L,MUN5111, DTA114EE,DTA114EM3, NSBA114EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 10 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

 4.1. Size:156K  onsemi
 nsvdta114em3t5g.pdf pdf_icon

NSVDTA114EET1G

MUN2111, MMUN2111L,MUN5111, DTA114EE,DTA114EM3, NSBA114EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 10 kW, R2 = 10 kWhttp://onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (

 6.1. Size:110K  onsemi
 nsvdta113em3t5g.pdf pdf_icon

NSVDTA114EET1G

MUN2130, MMUN2130L,MUN5130, DTA113EE,DTA113EM3, NSBA113EF3Digital Transistors (BRT)R1 = 1 kW, R2 = 1 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT)

 6.2. Size:99K  onsemi
 nsvdta115eet1g.pdf pdf_icon

NSVDTA114EET1G

MUN2136, MMUN2136L,MUN5136, DTA115EE,DTA115EM3Digital Transistors (BRT)R1 = 100 kW, R2 = 100 kWwww.onsemi.comPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor NetworkPIN 3COLLECTORThis series of digital transistors is designed to replace a single(OUTPUT)PIN 1device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1BASETransistor (BRT) contains

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... NSVMMBT5401WT1G , NSVMMBT589LT1G , NSVMMBT6429LT1G , NSVMMBT6517LT1G , NSVMMBT6520LT1G , NSVMMBTA05LT1G , NSVMMBTH10LT1G , NSVDTA113EM3T5G , S9018 , NSVDTA114EM3T5G , NSVDTA115EET1G , NSVDTA123EM3T5G , NSVDTA143ZET1G , NSVDTA144EET1G , NSVDTA144WET1G , NSVDTC113EM3T5G , NSVDTC114YM3T5G .

History: 2SC2868GR

 

 
Back to Top

 


 
.