NSVDTA123EM3T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVDTA123EM3T5G

Маркировка: 6H

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для NSVDTA123EM3T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVDTA123EM3T5G даташит

 0.1. Size:109K  onsemi
 nsvdta123em3t5g.pdf pdf_icon

NSVDTA123EM3T5G

MUN2131, MMUN2131L, MUN5131, DTA123EE, DTA123EM3, NSBA123EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (B

 7.1. Size:110K  onsemi
 nsvdta113em3t5g.pdf pdf_icon

NSVDTA123EM3T5G

MUN2130, MMUN2130L, MUN5130, DTA113EE, DTA113EM3, NSBA113EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 1 kW, R2 = 1 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT)

 7.2. Size:119K  onsemi
 nsvdta144eet1g.pdf pdf_icon

NSVDTA123EM3T5G

MUN2113, MMUN2113L, MUN5113, DTA144EE, DTA144EM3, NSBA144EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 47 kW, R2 = 47 kW www.onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (BRT

 7.3. Size:156K  onsemi
 nsvdta114eet1g.pdf pdf_icon

NSVDTA123EM3T5G

MUN2111, MMUN2111L, MUN5111, DTA114EE, DTA114EM3, NSBA114EF3 Digital Transistors (BRT) R1 = 10 kW, R2 = 10 kW http //onsemi.com PNP Transistors with Monolithic Bias PIN CONNECTIONS Resistor Network PIN 3 COLLECTOR This series of digital transistors is designed to replace a single (OUTPUT) PIN 1 device and its external resistor bias network. The Bias Resistor R1 BASE Transistor (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: NSVMMBT6517LT1G, NSVMMBT6520LT1G, NSVMMBTA05LT1G, NSVMMBTH10LT1G, NSVDTA113EM3T5G, NSVDTA114EET1G, NSVDTA114EM3T5G, NSVDTA115EET1G, BD222, NSVDTA143ZET1G, NSVDTA144EET1G, NSVDTA144WET1G, NSVDTC113EM3T5G, NSVDTC114YM3T5G, NSVDTC123EM3T5G, NSVDTC143ZET1G, NSVDTC143ZM3T5G