Справочник транзисторов. NSVEMD4DXV6T5G

 

Биполярный транзистор NSVEMD4DXV6T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVEMD4DXV6T5G
   Маркировка: U7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563
 

 Аналог (замена) для NSVEMD4DXV6T5G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVEMD4DXV6T5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:72K  onsemi
 nsvemd4dxv6t5g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMD4DXV6Dual Bias ResistorTransistorsNPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic BiasResistor Networkhttp://onsemi.comThe BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with(3) (2) (1)a monolithic bias network consisting of two resistors; a series baseresistor and a base-emitter resistor. These digital transistors areR1 R2designed to replace

 9.1. Size:102K  onsemi
 nsvemc2dxv5t1g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMC2DXV5T1G,EMC3DXV5T1G,EMC4DXV5T1G,EMC5DXV5T1GDual Commonhttp://onsemi.comBase-Collector Bias312Resistor TransistorsR1R2NPN and PNP Silicon Surface MountTransistors with Monolithic BiasQ2R2Resistor NetworkQ1R1The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of two resistors; a series base45resis

 9.2. Size:51K  onsemi
 nsvemx1dxv6t1g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMX1DXV6T1,EMX1DXV6T5Preferred DevicesDual NPN General PurposeAmplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-563 package which ishttp://onsemi.comdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.DUAL NPN GENERALFeaturesPURPOSE AMPLIFIER Reduces Board S

Другие транзисторы... NSBC115TF3T5G , NSBC115TPDP6 , NSBC115TPDP6T5G , NSVBCX17LT1G , NSVBSP19AT1G , NSVBSS63LT1G , NSVBT2222ADW1T1G , NSVEMC2DXV5T1G , 8550 , NSVEMX1DXV6T1G , NSVMBT3904DW1T3G , NSBC123EDXV6 , NSBC123EDXV6T1G , NSBC123EF3 , NSBC123EF3T5G , NSBC123EPDXV6 , NSBC123EPDXV6T1G .

History: AL102-6

 

 
Back to Top

 


 
.