NSVEMD4DXV6T5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVEMD4DXV6T5G

Маркировка: U7

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT563

 Аналоги (замена) для NSVEMD4DXV6T5G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVEMD4DXV6T5G даташит

 ..1. Size:72K  onsemi
 nsvemd4dxv6t5g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMD4DXV6 Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network http //onsemi.com The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with (3) (2) (1) a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are R1 R2 designed to replace

 9.1. Size:102K  onsemi
 nsvemc2dxv5t1g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMC2DXV5T1G, EMC3DXV5T1G, EMC4DXV5T1G, EMC5DXV5T1G Dual Common http //onsemi.com Base-Collector Bias 31 2 Resistor Transistors R1 R2 NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Q2 R2 Resistor Network Q1 R1 The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base 45 resis

 9.2. Size:51K  onsemi
 nsvemx1dxv6t1g.pdf pdf_icon

NSVEMD4DXV6T5G

EMX1DXV6T1, EMX1DXV6T5 Preferred Devices Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor This NPN transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SOT-563 package which is http //onsemi.com designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium. DUAL NPN GENERAL Features PURPOSE AMPLIFIER Reduces Board S

Другие транзисторы: NSBC115TF3T5G, NSBC115TPDP6, NSBC115TPDP6T5G, NSVBCX17LT1G, NSVBSP19AT1G, NSVBSS63LT1G, NSVBT2222ADW1T1G, NSVEMC2DXV5T1G, 2SC2655, NSVEMX1DXV6T1G, NSVMBT3904DW1T3G, NSBC123EDXV6, NSBC123EDXV6T1G, NSBC123EF3, NSBC123EF3T5G, NSBC123EPDXV6, NSBC123EPDXV6T1G