NSVMBT3904DW1T3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVMBT3904DW1T3G

Маркировка: MA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для NSVMBT3904DW1T3G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVMBT3904DW1T3G даташит

 0.1. Size:100K  onsemi
 nsvmbt3904dw1t3g.pdf pdf_icon

NSVMBT3904DW1T3G

MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

 1.1. Size:96K  onsemi
 mbt3904dw1 mbt3904dw2 smbt3904dw1 nsvmbt3904dw1.pdf pdf_icon

NSVMBT3904DW1T3G

MBT3904DW1, MBT3904DW2, SMBT3904DW1, NSVMBT3904DW1 Dual General Purpose www.onsemi.com Transistors MARKING The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin-off of DIAGRAM our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for 6 general purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 SOT-363/SC-88/ six-leaded surface mount package. By putting two discrete de

Другие транзисторы: NSBC115TPDP6T5G, NSVBCX17LT1G, NSVBSP19AT1G, NSVBSS63LT1G, NSVBT2222ADW1T1G, NSVEMC2DXV5T1G, NSVEMD4DXV6T5G, NSVEMX1DXV6T1G, 13005, NSBC123EDXV6, NSBC123EDXV6T1G, NSBC123EF3, NSBC123EF3T5G, NSBC123EPDXV6, NSBC123EPDXV6T1G, NSBC123JDP6, NSBC123JDP6T5G