Справочник транзисторов. NSS40600CF8T1G

 

Биполярный транзистор NSS40600CF8T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSS40600CF8T1G
   Маркировка: VA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для NSS40600CF8T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSS40600CF8T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  onsemi
 nss40600cf8t1g.pdf pdf_icon

NSS40600CF8T1G

NSS40600CF8T1G,SNSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat) http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra low-40 VOLTS, 7.0 AMPSsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsPNP LOW VCE(

 3.1. Size:128K  onsemi
 nss40600cf8-d.pdf pdf_icon

NSS40600CF8T1G

NSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

 7.1. Size:88K  onsemi
 nss40601cf8-d.pdf pdf_icon

NSS40600CF8T1G

NSS40601CF8T1G40 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

 7.2. Size:161K  onsemi
 nss40601cf8t1g.pdf pdf_icon

NSS40600CF8T1G

NSS40601CF8T1G40 V, 8.0 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductor's e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is importa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: A44 | 2SC3323 | BCW90KB

 

 
Back to Top

 


 
.