Справочник транзисторов. NSVBA114EDXV6T1G

 

Биполярный транзистор NSVBA114EDXV6T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVBA114EDXV6T1G
   Маркировка: 0A
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT563
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSVBA114EDXV6T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:89K  onsemi
 nsvba114edxv6t1g.pdf pdf_icon

NSVBA114EDXV6T1G

MUN5111DW1,NSBA114EDXV6,NSBA114EDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 10 kWPNP Transistors with Monolithic BiasPIN CONNECTIONSResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singledevice and its external resistor bias network. The Bias ResistorR1 R2Transistor (BRT) contains a single transistor wit

 6.1. Size:128K  onsemi
 nsvba114ydxv6t1g.pdf pdf_icon

NSVBA114EDXV6T1G

MUN5114DW1,NSBA114YDXV6,NSBA114YDP6Dual PNP Bias ResistorTransistorshttp://onsemi.comR1 = 10 kW, R2 = 47 kWPIN CONNECTIONSPNP Transistors with Monolithic BiasResistor Network(3) (2) (1)This series of digital transistors is designed to replace a singleR1 R2device and its external resistor bias network. The Bias ResistorTransistor (BRT) contains a single transistor wit

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: NS6207 | 2SD1039 | ET5065 | TMPC1622D6 | 2SC369G | KSD5016 | DTA143TKA

 

 
Back to Top

 


 
.