Справочник транзисторов. NSV2SC5658M3T5G

 

Биполярный транзистор NSV2SC5658M3T5G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSV2SC5658M3T5G
   Маркировка: B9
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.26 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT723
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSV2SC5658M3T5G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:98K  onsemi
 nsv2sc5658m3t5g.pdf pdf_icon

NSV2SC5658M3T5G

2SC5658M3T5G,2SC5658RM3T5GNPN Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis NPN transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which ishttp://onsemi.comdesigned for low power surface mount applications, where boardspace is at a premium.NPN GENERALFeaturesPURPOSE AMPLIFIER Reduces Board SpaceTRANSISTOR

 9.1. Size:97K  onsemi
 nsv2sa2029m3t5g.pdf pdf_icon

NSV2SC5658M3T5G

2SA2029M3T5GPNP Silicon GeneralPurpose Amplifier TransistorThis PNP transistor is designed for general purpose amplifierapplications. This device is housed in the SOT-723 package which isdesigned for low power surface mount applications, where boardhttp://onsemi.comspace is at a premium.FeaturesPNP GENERAL Reduces Board SpacePURPOSE AMPLIFIER High hFE, 210-460 (Typ

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: ZTX322 | BF316A | UMB16N | ZTX851 | KTC4347 | UMB6N | MG15G6EL1

 

 
Back to Top

 


 
.