Справочник транзисторов. A539

 

Биполярный транзистор A539 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: A539
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для A539

 

 

A539 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  china
a539.pdf

A539

A539 PNP silicon APPLICATIONAMPLIFIER APPLICATIONSWITCH APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -45 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -200 mACollector Power Dissipation PC 400 mWJunction Temperature TJ 150Storage

 0.1. Size:37K  fairchild semi
ksa539.pdf

A539 A539

KSA539Low Frequency Amplifier Complement to KSC815 Collector-Base Voltage: VCBO = -60V Collector Power Dissipation: PC = 400mW Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO C

 0.2. Size:202K  cdil
csa539.pdf

A539 A539

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSA539TO-92Plastic PackageComplementary CSC815Low Frequency AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage 60 VVCEOCollector Emitter Voltage 45 VVEBOEmitter Base Voltage 5VICCollecto

 0.3. Size:73K  kec
kta539.pdf

A539 A539

SEMICONDUCTOR KTA539TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORLOW FREQUENCY AMPLIFIERB CFEATURESCollector-Base Voltage : VCBO=-60V.Complementary to KTC815.DIM MILLIMETERSN A 4.70 MAXB 4.80 MAXEKG C 3.70 MAXD 0.45DE 1.00F 1.27G 0.85H 0.45MAXIMUM RATING (Ta=25 )_J 14.00 + 0.50HK 0.55 MAXCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF F L 2.30M 0.45 MAX

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: NSVBCH817-25L | BF423L | RCA423

 

 
Back to Top