Биполярный транзистор A614
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A614
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для A614
A614
Datasheet (PDF)
..1. Size:471K china
a614.pdf 
A614PNP silicon APPLICATIONLow Frequency Power Amplifier. Power RegulatorMAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VVCBO -80Collector-emitter voltage VCEO -55 VTO-2201Emitter-base voltage VEBO -5 V1.Base 2.Collector 3.EmitterCollector current IC -3.0 ACollector Power Dissipation
0.1. Size:43K fairchild semi
ksa614.pdf 
KSA614Low Frequency Power AmplifierPower Regulator Collector-Base Voltage : VCBO= -80V Collector Dissipation : PC=25W (TC=25C)TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector- Base Voltage - 80 VVCEO Collector- Emitter Voltage - 55 VVEBO Emitt
0.2. Size:133K cdil
csa614 r o y csd288.pdf 
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSA614, CSD288CSA614 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSD288 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORLow frequency Power Amplifier and Power RegulatorPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.B EFA 14.42 16.51B 9.63 10.67C 3.5
0.3. Size:168K lge
ksa614f.pdf 
KSA614F(PNP) TO-220F Bipolar TransistorsTO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3Features Low Frequency Amplifier Medium Speed Switching Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -80 VVCEO Collector-Emitter Voltage -55 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC
0.4. Size:114K inchange semiconductor
ksa614.pdf 
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors KSA614 DESCRIPTION With TO-220 package Collector-Base Voltage:VCBO=-80V(Min) Collector dissipation:PC=25W@TC=25 APPLICATIONS Low frequency power amplifier Power regulator PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta
0.5. Size:217K inchange semiconductor
2sa614.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA614DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -55V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -0.5V (Max.)@ I = -1ACE(sat) CCollector Power Dissipation-: P = 25W@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplif
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
