A1182 - описание и поиск аналогов

 

A1182. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: A1182

Маркировка: ZO_ZY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для A1182

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1182 даташит

 ..1. Size:262K  fgx
a1182.pdfpdf_icon

A1182

A1182 PNP silicon APPLICATION Audio Frequency Low Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -500 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 150 Stora

 0.1. Size:201K  toshiba
2sa1182.pdfpdf_icon

A1182

2SA1182 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial (PCT process) 2SA1182 Audio Frequency Low Power Amplifier Applications Unit mm Driver Stage Amplifier Applications Switching Applications Excellent hFE linearity hFE (2) = 25 (min) at V = -6 V, I = -400 mA CE C Complementary to 2SC2859. Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Col

 0.2. Size:58K  fairchild semi
ksa1182.pdfpdf_icon

A1182

KSA1182 Low Frequency Power Amplifier Complement to KSC2859 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -35 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -500 mA PC Collector Power D

 0.3. Size:606K  jiangsu
ad-ksa1182.pdfpdf_icon

A1182

www.jscj-elec.com AD-KSA1182 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-KSA1182 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-KSA1182 series Transistor (PNP) FEATURES Complementary to AD-KSC2859 AEC-Q101 qualified Version 1.0 1 / 5 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-KSA1182 series MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise specified) j Parameter Symbol

Другие транзисторы... A673 , A684 , A695 , A1150 , A1160 , A1162 , A1163 , A1175 , TIP31 , A1213 , A1241 , A1246 , A1255 , A1266 , A1267 , A1267S , A1270 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.