A1309 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: A1309 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400
Корпус транзистора: TO92
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для A1309
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
A1309 даташит
a1309.pdf
A1309 PNP silicon APPLICATION GENERAL PURPOSE APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -30 V Collector-emitter voltage VCEO -25 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -100 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage Temperat
2sa1309.pdf
Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Request
2sa1309a.pdf
Transistor 2SA1309A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SC3311A 4.0 0.2 Features High foward current transfer ratio hFE. Allowing supply with the radial taping. Optimum for high-density mounting. marking Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 2 3 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V 1.27 1.
2sa1309a e.pdf
Transistor 2SA1309A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SC3311A 4.0 0.2 Features High foward current transfer ratio hFE. Allowing supply with the radial taping. Optimum for high-density mounting. marking Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 2 3 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V 1.27 1.
Другие транзисторы: A1271, A1273, A1273A, A1276, A1296, A1297, A1298, A1300, D209L, A1313, A1317, A1317S, A1320, A1357, A1480, A1504, A1505
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: HA22 | KT666A9 | RN2973CT | RN2408 | NB014HT | SUR550J | NTE2413
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet




