Биполярный транзистор A1309 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A1309
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
Корпус транзистора: TO92
A1309 Datasheet (PDF)
a1309.pdf
A1309 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -25 V Emitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -100 mACollector Power Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperat
2sa1309.pdf
Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Request
2sa1309a.pdf
Transistor2SA1309ASilicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SC3311A4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Allowing supply with the radial taping.Optimum for high-density mounting.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 V1.27 1.
2sa1309a e.pdf
Transistor2SA1309ASilicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SC3311A4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Allowing supply with the radial taping.Optimum for high-density mounting.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 V1.27 1.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050