A1309 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: A1309  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для A1309

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

A1309 даташит

 ..1. Size:229K  fgx
a1309.pdfpdf_icon

A1309

A1309 PNP silicon APPLICATION GENERAL PURPOSE APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -30 V Collector-emitter voltage VCEO -25 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -100 mA Collector Power Dissipation PC 300 mW Junction Temperature TJ 150 Storage Temperat

 0.1. Size:252K  1
2sa1309.pdfpdf_icon

A1309

Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Maintenance/ Discontinued Maintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage. (planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type) Request

 0.2. Size:35K  panasonic
2sa1309a.pdfpdf_icon

A1309

Transistor 2SA1309A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SC3311A 4.0 0.2 Features High foward current transfer ratio hFE. Allowing supply with the radial taping. Optimum for high-density mounting. marking Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 2 3 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V 1.27 1.

 0.3. Size:39K  panasonic
2sa1309a e.pdfpdf_icon

A1309

Transistor 2SA1309A Silicon PNP epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SC3311A 4.0 0.2 Features High foward current transfer ratio hFE. Allowing supply with the radial taping. Optimum for high-density mounting. marking Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 2 3 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V 1.27 1.

Другие транзисторы: A1271, A1273, A1273A, A1276, A1296, A1297, A1298, A1300, D209L, A1313, A1317, A1317S, A1320, A1357, A1480, A1504, A1505