Справочник транзисторов. A1309

 

Биполярный транзистор A1309 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: A1309
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

A1309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  fgx
 a1309.pdf pdf_icon

A1309

A1309 PNP silicon APPLICATIONGENERAL PURPOSE APPLICATION.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -30 VCollector-emitter voltage VCEO -25 V Emitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -100 mACollector Power Dissipation PC 300 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperat

 0.1. Size:252K  1
 2sa1309.pdf pdf_icon

A1309

Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Maintenance/DiscontinuedMaintenance/Discontinued includes following four Product lifecycle stage.(planed maintenance type, maintenance type, planed discontinued typed, discontinued type)Request

 0.2. Size:35K  panasonic
 2sa1309a.pdf pdf_icon

A1309

Transistor2SA1309ASilicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SC3311A4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Allowing supply with the radial taping.Optimum for high-density mounting.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 V1.27 1.

 0.3. Size:39K  panasonic
 2sa1309a e.pdf pdf_icon

A1309

Transistor2SA1309ASilicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mmComplementary to 2SC3311A4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Allowing supply with the radial taping.Optimum for high-density mounting.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 V1.27 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BSS56 | BDX83C | 2SB1204

 

 
Back to Top

 


 
.