A1505 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: A1505 📄📄
Маркировка: AZO_AZY_AZI
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для A1505
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
A1505 даташит
a1505.pdf
A1505 PNP silicon APPLICATION GENERAL PURPOSE AMPLIFY APPLICATIONS, WITCHING APPLICATION. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -500 mA 1 Collector Power Dissipation PC 150 mW 2 Junction Temperature TJ 15
ad-kta1505.pdf
www.jscj-elec.com AD-KTA1505 series JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. AD-KTA1505 series Plastic-Encapsulated Transistor AD-KTA1505 series Transistor (PNP) FEATURES Excellent hFE linearity Complementary to AD-KTC3876 AEC-Q101 qualified Version 1.0 1 / 6 2021-07-01 www.jscj-elec.com AD-KTA1505 series MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise spe
kta1505.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 KTA1505 TRANSISTOR PNP FEATURES 1. BASE Excellent hFE linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR Complementary to KTC3876 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -35 V V Collector-Emitter Voltage -30 V CEO V
kta1505s.pdf
SEMICONDUCTOR KTA1505S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Excellent hFE Linearity _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 hFE(2)=25(Min.) at VCE=-6V, IC=-400mA. C 1.30 MAX 2 Complementary to KTC3876S. 3 D 0.40+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90 H 0.95 J 0.13+0.10/-0.05 K 0.0
Другие транзисторы: A1309, A1313, A1317, A1317S, A1320, A1357, A1480, A1504, BC549, A1517, A1585, A1585S, A1586, A1587, A1588, A1621, A1663
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 40611 | STA457C
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor









