Биполярный транзистор A720
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: A720
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора:
TO92
Аналоги (замена) для A720
A720
Datasheet (PDF)
..1. Size:232K fgx
a720.pdf 
A720PNP silicon APPLICATIONGeneral Purpose Applications.MAXIMUM RATINGSTa25PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -50 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -500 mACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature TJ 150Storage Temperature
0.1. Size:51K panasonic
2sa719 2sa720.pdf 
Transistor2SA719, 2SA720Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency power amplification and driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1317 and 2SC13185.0 0.2 4.0 0.2FeaturesComplementary pair with 2SC1317 and 2SC1318.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to 2SA719 30VCBO V+0.2 +0.2base voltage 2SA720 60 0.45
0.2. Size:42K panasonic
2sa720a e.pdf 
Transistor2SA720ASilicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC1318A5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit+0.2 +0.2Collector to base voltage VCBO
0.4. Size:507K secos
2sa720.pdf 
2SA720 -0.5 A, -60 V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES For low-frequency power amplification and driver amplification. G HEmitterCollector Base CLASSIFICATION OF hFE JA DProduct-Rank 2SA720-Q 2SA720-R 2SA720-SMillimeterREF.B M
0.5. Size:107K cdil
csa719 csa720.pdf 
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSA719CSA720TO-92Plastic PackageBCEApplicationsAF Output Amplifier and DriverABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25C )DESCRIPTION SYMBOL CSA719 CSA720 UNITCollector Base Voltage VCBO 30 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 50 VEmitter Base Vo
0.6. Size:213K first silicon
fta720.pdf 
SEMICONDUCTORFTA719 / 720TECHNICAL DATAFTA719/FTA720 TRANSISTOR (PNP)FEATURES B C For Low-Frequency Power Amplification and Driver Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEB 4.80 MAXGSymbol Parameter Value Unit C 3.70 MAXDD 0.55 MAXVCBO Collector-Base Voltage FTA719 -30E 1.00VF 1.27FTA720 -60G 0.85
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.
