Справочник транзисторов. HBD435

 

Биполярный транзистор HBD435 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBD435
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для HBD435

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  shantou-huashan
 hbd435.pdf pdf_icon

HBD435

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD435 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

 9.1. Size:41K  hsmc
 hbd438t.pdf pdf_icon

HBD435

Spec. No. : HT200206HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD438TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD438T is silison epitaxial-base PNP power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary NPN type is HBD437T.TO-126A

 9.2. Size:43K  hsmc
 hbd437t.pdf pdf_icon

HBD435

Spec. No. : HT200201HI-SINCERITYIssued Date : 2001.04.01Revised Date : 2005.12.02MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HBD437TCOMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSDescriptionThe HBD437T is silison epitaxial-base NPN power transistor in TO-126 plasticpackage, intented for use in medium power linear and switching applications. Thecomplementary PNP type is HBD438T.TO-126A

 9.3. Size:145K  shantou-huashan
 hbd436.pdf pdf_icon

HBD435

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD436 APPLICATIONS Medium Power Linear And Switching Applicatione. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-220 TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector Dissipation

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: HBD196 | 2SC2601 | CSB737 | BD187 | 2SC4672-Q | BD433

 

 
Back to Top

 


 
.