HBD681 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HBD681  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HBD681

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD681 даташит

 ..1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd681.pdf pdf_icon

HBD681

 9.1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd682.pdf pdf_icon

HBD681

Другие транзисторы: HB1274, HB834, HB857, HBD195, HBD196, HBD241C, HBD435, HBD436, 2SD1047, HBD682, HBDW93C, HBDW94C, HBU3150A, HBU406, HBU406H, HC1061, HC2073