Справочник транзисторов. HBD681

 

Биполярный транзистор HBD681 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HBD681
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

HBD681 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd681.pdf pdf_icon

HBD681

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD681 APPLICATIONS Medium Power Linear switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126F TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

 9.1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd682.pdf pdf_icon

HBD681

P N P S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HBD682 APPLICATIONS Medium Power Linear switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126F TstgStorage Temperature -65~150TjJunction Temperature 150PCCollector DissipationTc=25

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | ZXTN07012EFF | 40936 | MS1649 | MSG43002

 

 
Back to Top

 


 
.