HBD681 - описание и поиск аналогов

 

HBD681 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HBD681
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126F

 Аналоги (замена) для HBD681

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HBD681 - технические параметры

 ..1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd681.pdf pdf_icon

HBD681

 9.1. Size:141K  shantou-huashan
 hbd682.pdf pdf_icon

HBD681

Другие транзисторы... HB1274 , HB834 , HB857 , HBD195 , HBD196 , HBD241C , HBD435 , HBD436 , S8050 , HBD682 , HBDW93C , HBDW94C , HBU3150A , HBU406 , HBU406H , HC1061 , HC2073 .

 

 
Back to Top

 


 
.