HSBD139 - описание и поиск аналогов

 

HSBD139. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBD139

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для HSBD139

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSBD139 даташит

 ..1. Size:59K  shantou-huashan
 hsbd139.pdf pdf_icon

HSBD139

 8.1. Size:118K  shantou-huashan
 hsbd135.pdf pdf_icon

HSBD139

 8.2. Size:118K  shantou-huashan
 hsbd137.pdf pdf_icon

HSBD139

 8.3. Size:119K  shantou-huashan
 hsbd138.pdf pdf_icon

HSBD139

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD138 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: HS649A, HS669A, HS772, HS882, HSBD135, HSBD136, HSBD137, HSBD138, BC556, HSBD140, HSBD175, HSBD176, HSBD177, HSBD178, HSBD179, HSBD180, HSBD233

 

 

 

 

↑ Back to Top
.