HSBD139 Todos los transistores

 

HSBD139 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSBD139
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126

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HSBD139 Datasheet (PDF)

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HSBD139

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD138 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

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History: RN1962FE | 2SD1979 | MSD42T1G | DSA4G01 | NB021FT | 2SC3017 | 2SC3788E

 

 
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