Справочник транзисторов. H1008

 

Биполярный транзистор H1008 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: H1008
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для H1008

 

 

H1008 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  shantou-huashan
h1008.pdf

H1008
H1008

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation800mW1EmitterE VCBO

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BCY78-7 | 3CD3 | 2SB1367

 

 
Back to Top