H2369. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: H2369
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для H2369
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
H2369 даташит
ph2369.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D186 PH2369 NPN switching transistor Product data sheet 2004 Oct 11 Supersedes data of 1999 Apr 27 NXP Semiconductors Product data sheet NPN switching transistor PH2369 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector High-speed switc
ph2369 3.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PH2369 NPN switching transistor 1999 Apr 27 Product specification Supersedes data of 1997 May 27 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistor PH2369 FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V). 1 emitter 2 base APPLICATIONS 3 collector High-spe
kth2369 a.pdf
SEMICONDUCTOR KTH2369/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES High Frequency Characteristics fT=500MHz(Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA). Excellent Switching Characteristics. N DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX E K G B 4.80 MAX C 3.70 MAX D D 0.45 E 1.00 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) F 1.27 G 0.85 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN
Другие транзисторы: H1959, H2120, H2216, H2222A, H227, H2274, H2328S, H2347, S8550, H237, H238, H2655S, H2717, H2907A, H3192, H3198, H3200
History: 2SC3321 | MA206 | MA28 | H3332
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor







