Справочник транзисторов. H2369

 

Биполярный транзистор H2369 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: H2369
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для H2369

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

H2369 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  shantou-huashan
h2369.pdfpdf_icon

H2369

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H2369 APPLICATIONS This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of mA to 100mA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-92 TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature

 0.1. Size:116K  philips
ph2369.pdfpdf_icon

H2369

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D186PH2369NPN switching transistorProduct data sheet 2004 Oct 11Supersedes data of 1999 Apr 27NXP Semiconductors Product data sheetNPN switching transistor PH2369FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector High-speed switc

 0.2. Size:51K  philips
ph2369 3.pdfpdf_icon

H2369

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PH2369NPN switching transistor1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PH2369FEATURES PINNING Low current (max. 200 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 15 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector High-spe

 0.3. Size:393K  kec
kth2369 a.pdfpdf_icon

H2369

SEMICONDUCTOR KTH2369/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH SPEED SWITCHING APPLICATION.B CFEATURESHigh Frequency Characteristics : fT=500MHz(Min.) (VCE=10V, f=100MHz, IC=10mA).Excellent Switching Characteristics.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: MJF45H11

 

 
Back to Top

 


 
.