S9016. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: S9016

Маркировка: Y6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 28

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S9016

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

S9016 даташит

 ..1. Size:162K  galaxy
 s9016.pdf pdf_icon

S9016

BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9016 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 25mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, FM/RM amplifier of low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9016 Y6 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbo

 0.1. Size:28K  jiangsu
 s9016lt1.pdf pdf_icon

S9016

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9016LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 200 mW (Tamb=25 ) 2. 4 1. 3 Collector current ICM 0.025 A Collector-base voltage V(BR)CBO 30 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tstg

Другие транзисторы: S9013H, S9013I, S9014B, S9014C, S9014D, S9015B, S9015C, S9015D, 2N3055, S9016LT1, S9018G, S9018H, S9018I, SBC807-16LT1G, SBC807-16LT3G, SBC807-25LT1G, SBC807-25LT3G