S9016 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S9016 📄📄

Código: Y6

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 400 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 28

Encapsulados: SOT23

📄📄 Copiar

Búsqueda de reemplazo de S9016

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

S9016 datasheet

..1. Size:162K galaxy
s9016.pdf pdf_icon

BL Galaxy Electrical Production specification NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor S9016 FEATURES Pb Collector Current.(IC= 25mA Lead-free Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS AM converter, FM/RM amplifier of low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code S9016 Y6 SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbo

0.1. Size:28K jiangsu
s9016lt1.pdf pdf_icon

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS INDUSTIAL CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9016LT1 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM 200 mW (Tamb=25 ) 2. 4 1. 3 Collector current ICM 0.025 A Collector-base voltage V(BR)CBO 30 V Operating and storage junction temperature range Unit mm TJ, Tstg

Otros transistores... S9013H, S9013I, S9014B, S9014C, S9014D, S9015B, S9015C, S9015D, BD222, S9016LT1, S9018G, S9018H, S9018I, SBC807-16LT1G, SBC807-16LT3G, SBC807-25LT1G, SBC807-25LT3G

S9016 Datasheet. Equivalente