SBCW30LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBCW30LT1G

Маркировка: C2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 215

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для SBCW30LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBCW30LT1G даташит

 ..1. Size:300K  onsemi
 bcw30lt1g sbcw30lt1g.pdf pdf_icon

SBCW30LT1G

ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,

 ..2. Size:154K  onsemi
 sbcw30lt1g.pdf pdf_icon

SBCW30LT1G

BCW30LT1G, SBCW30LT1G General Purpose Transistors PNP Silicon http //onsemi.com Features AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 STYLE 6 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Ratin

 8.1. Size:43K  fairchild semi
 fsbcw30.pdf pdf_icon

SBCW30LT1G

Discrete POWER & Signal Technologies FSBCW30 C E B SuperSOTTM-3 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See BC857A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter

 9.1. Size:281K  onsemi
 bcw33lt1g sbcw33lt1g.pdf pdf_icon

SBCW30LT1G

BCW33LT1G, SBCW33LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features www.onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) MAXIMUM RATINGS CASE 318-08 STYLE 6 Rating Symbol Value Unit C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SBCP53-16T1G, SBCP53T1G, SBCP56-10T1G, SBCP56-16T1G, SBCP56-16T3G, SBCP56T1G, SBCP56T3G, SBCP68T1G, NJW0281G, SBCW33LT1G, SBCW66GLT1G, SBCW72LT1G, SBCX19LT1G, SBF13007-O, SBF13009-O, SBF720T1G, SBN13001