SBCW33LT1G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SBCW33LT1G
Маркировка: D3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для SBCW33LT1G
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
SBCW33LT1G даташит
bcw33lt1g sbcw33lt1g.pdf
BCW33LT1G, SBCW33LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features www.onsemi.com S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant SOT-23 (TO-236) MAXIMUM RATINGS CASE 318-08 STYLE 6 Rating Symbol Value Unit C
sbcw33lt1g.pdf
BCW33LT1G, SBCW33LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT-23 (TO-236) MAXIMUM RATINGS CASE 318-08 STYLE 6 Rating Symbol Value U
fsbcw30.pdf
Discrete POWER & Signal Technologies FSBCW30 C E B SuperSOTTM-3 PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68. See BC857A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter
bcw30lt1g sbcw30lt1g.pdf
ON Semiconductor Is Now To learn more about onsemi , please visit our website at www.onsemi.com onsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
Другие транзисторы... SBCP53T1G , SBCP56-10T1G , SBCP56-16T1G , SBCP56-16T3G , SBCP56T1G , SBCP56T3G , SBCP68T1G , SBCW30LT1G , D965 , SBCW66GLT1G , SBCW72LT1G , SBCX19LT1G , SBF13007-O , SBF13009-O , SBF720T1G , SBN13001 , SBN13002 .
History: SBC817-40LT1G
History: SBC817-40LT1G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики





