Биполярный транзистор 2N739 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N739
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO18
2N739 Datasheet (PDF)
jansr2n7398.pdf
JANSR2N7398Formerly FSL430R4 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 2A, 500V, rDS(ON) = 2.50 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Even
jansr2n7396.pdf
JANSR2N7396Formerly FSL230R4 5A, 200V, 0.460 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 5A, 200V, rDS(ON) = 0.460 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)t
jansr2n7395.pdf
JANSR2N7395Formerly FSL130R4 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Ev
jansr2n7399.pdf
JANSR2N7399Formerly FSS130R4 11A, 100V, 0.210 Ohm, Rad Hard,June 1998 N-Channel Power MOSFETFeatures Description 11A, 100V, rDS(ON) = 0.210 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)
2n7394 2n7394u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com RADIATION HARDENED N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/603 DEVICES LEVELS MSR (100K RAD(Si)) 2N7394 2N7394UMSF (300K RAD(Si))
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050