2N739 - описание и поиск аналогов

 

2N739. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N739

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2N739

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N739 даташит

 0.1. Size:53K  intersil
jansr2n7398.pdfpdf_icon

2N739

JANSR2N7398 Formerly FSL430R4 2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 2A, 500V, rDS(ON) = 2.50 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- tions. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Even

 0.2. Size:52K  intersil
jansr2n7396.pdfpdf_icon

2N739

JANSR2N7396 Formerly FSL230R4 5A, 200V, 0.460 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 5A, 200V, rDS(ON) = 0.460 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) t

 0.3. Size:53K  intersil
jansr2n7395.pdfpdf_icon

2N739

JANSR2N7395 Formerly FSL130R4 8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 8A, 100V, rDS(ON) = 0.230 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- tions. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Ev

 0.4. Size:52K  intersil
jansr2n7399.pdfpdf_icon

2N739

JANSR2N7399 Formerly FSS130R4 11A, 100V, 0.210 Ohm, Rad Hard, June 1998 N-Channel Power MOSFET Features Description 11A, 100V, rDS(ON) = 0.210 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

Другие транзисторы: 2N734A, 2N735, 2N735A, 2N736, 2N736A, 2N736B, 2N738, 2N738A, 2SA1943, 3CA200B, 2N740, 2N740A, 2N741, 2N741A, 2N742, 2N742A, 2N743

 

 

 

 

↑ Back to Top
.