SD1275. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SD1275
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT120
Аналоги (замена) для SD1275
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SD1275 даташит
sd1275.pdf
SD1275 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9 dB GAIN DESCRIPTION The SD1275 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The SD1275 utilizes an emitter .380 4L STUD (M135) ballasted die geometry to w
sd1275.pdf
HG RF POWER TRANSISTOR SD1275 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR .160 MHz .13.6 VOLTS .COMMON EMITTER .P 40 W MIN. WITH 9.0 dB GAIN = OUT .380 4L STUD (M135) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1275 SD1275 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1275 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The
sd1275-01.pdf
SD1275-01 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9.0 dB GAIN DESCRIPTION The SD1275-01 is a 13.6 V Class C epitaxial sili- con NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The SD1275-01 utilizes an .380 4L FL (M113) emitter ballasted die ge
2sd1275.pdf
Power Transistors 2SD1275, 2SD1275A Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Unit mm For power amplification 10.0 0.2 4.2 0.2 Complementary to 2SB949 and 2SB949A 5.5 0.2 2.7 0.2 Features 3.1 0.1 High foward current transfer ratio hFE High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 1.3 0.2 1.4 0.1 Absolute
Другие транзисторы: SD1219, SD1224, SD1224-02, SD1224-10, SD1272, SD1272-2, SD1274, SD1274-01, 2SD1047, SD1275-01, SD1285, SD1405, SD1407, SD1420, SD1422, SD1429, SD1434
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent





