SD1275. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SD1275

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT120

 Аналоги (замена) для SD1275

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SD1275 даташит

 ..1. Size:105K  st
sd1275.pdfpdf_icon

SD1275

SD1275 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9 dB GAIN DESCRIPTION The SD1275 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The SD1275 utilizes an emitter .380 4L STUD (M135) ballasted die geometry to w

 ..2. Size:269K  hgsemi
sd1275.pdfpdf_icon

SD1275

HG RF POWER TRANSISTOR SD1275 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR .160 MHz .13.6 VOLTS .COMMON EMITTER .P 40 W MIN. WITH 9.0 dB GAIN = OUT .380 4L STUD (M135) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1275 SD1275 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1275 is a 13.6 V Class C epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The

 0.1. Size:80K  st
sd1275-01.pdfpdf_icon

SD1275

SD1275-01 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS FEATURES SUMMARY Figure 1. Package 160 MHz 13.6 VOLTS COMMON EMITTER POUT = 40 W MIN. WITH 9.0 dB GAIN DESCRIPTION The SD1275-01 is a 13.6 V Class C epitaxial sili- con NPN planar transistor designed primarily for VHF communications. The SD1275-01 utilizes an .380 4L FL (M113) emitter ballasted die ge

 0.2. Size:62K  panasonic
2sd1275.pdfpdf_icon

SD1275

Power Transistors 2SD1275, 2SD1275A Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Unit mm For power amplification 10.0 0.2 4.2 0.2 Complementary to 2SB949 and 2SB949A 5.5 0.2 2.7 0.2 Features 3.1 0.1 High foward current transfer ratio hFE High-speed switching Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw 1.3 0.2 1.4 0.1 Absolute

Другие транзисторы: SD1219, SD1224, SD1224-02, SD1224-10, SD1272, SD1272-2, SD1274, SD1274-01, 2SD1047, SD1275-01, SD1285, SD1405, SD1407, SD1420, SD1422, SD1429, SD1434