Биполярный транзистор SD1407 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SD1407
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 270 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 36 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 250 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT121
SD1407 Datasheet (PDF)
sd1407.pdf
SD1407RF & MICROWAVE TRANSISTORSHF SSB APPLICATIONS.30 MHz.28 VOLTS.IMD -30 dB.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.P 125 W MIN. WITH 15 dB GAIN=OUT.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1407 1407PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1407 is a 28 V epitaxial silicon NPN planartransistor designed primarily for SSB communica-tions. This device utilizes state-
sd1407.pdf
HG RF POWER TRANSISTORSD1407SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR.30 MHz.28 VOLTS.IMD -30 dB.COMMON EMITTER.GOLD METALLIZATION.POUT 125 W MIN. WITH 15 dB GAIN=.500 4LFL (M174)epoxy sealedORDER CODE BRANDINGSD1407 1407PIN CONNECTIONDESCRIPTIONThe SD1407 is a 28 V epitaxial silicon NPN planartransistor designed primarily for SSB communi
2sd1407a.pdf
2SD1407A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD1407A Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: VCEO = 100 V Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (max) Complementary to 2SB1016A Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 100 VCol
2sd1407.pdf
2SD1407 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPOWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT SC-67 Complement to 2SB1016ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 25 W
2sd1407.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1407DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 2.0V(Max)@ I = 4ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SB1016Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SC2625 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
