MRF10350 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF10350  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1590 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: 335E-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF10350

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF10350 даташит

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf10350.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF10350/D The RF Line Microwave Pulse MRF10350 Power Transistor Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 350 Watts Peak 350 W (PEAK) Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ) 1025 1150 MHz MICROWAVE

 ..2. Size:183K  macom
 mrf10350.pdf pdf_icon

MRF10350

MRF10350 Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 350W (peak), 1025 1150MHz Product Image Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed performance @ 1090 MHz Output power = 350 W Peak Gain = 8.5 dB min, 9.0 dB (typ.) 100% tested for load

 7.1. Size:100K  motorola
 mrf1035mbrev0.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MB/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MB Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MIC

 7.2. Size:113K  motorola
 mrf1035m.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MA Power Transistors MRF1035MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF1002MB, MRF10031, MRF1004MA, MRF1004MB, MRF10120, MRF10150, MRF1015MA, MRF1015MB, A1013, MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, MRF1150MA, MRF1150MB, MRF16006, MRF1946, MRF1946A