Биполярный транзистор MRF10350 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF10350
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1590 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: 335E-01
Аналог (замена) для MRF10350
MRF10350 Datasheet (PDF)
mrf10350.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF10350/DThe RF LineMicrowave PulseMRF10350Power TransistorDesigned for 10251150 MHz pulse common base amplifier applicationssuch as TCAS, TACAN and ModeS transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHzOutput Power = 350 Watts Peak350 W (PEAK)Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)10251150 MHzMICROWAVE
mrf10350.pdf

MRF10350 Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 350W (peak), 10251150MHz Product Image Designed for 10251150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and ModeS transmitters. Guaranteed performance @ 1090 MHz Output power = 350 W Peak Gain = 8.5 dB min, 9.0 dB (typ.) 100% tested for load
mrf1035mbrev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1035MB/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1035MBPower TransistorsDesigned for Class B and C common base amplifier applications in short andlong pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 35 Watts Peak35 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum Gain = 10 dBMIC
mrf1035m.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1035MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1035MAPower TransistorsMRF1035MB. . . designed for Class B and C common base amplifier applications in shortand long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 35 Watts Peak35 W (PEAK), 9601215 MHzMinimum
Другие транзисторы... MRF1002MB , MRF10031 , MRF1004MA , MRF1004MB , MRF10120 , MRF10150 , MRF1015MA , MRF1015MB , 2SD313 , MRF10502 , MRF1090MA , MRF1090MB , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , MRF1946A .
History: BF242 | KRA571U | UMT13007 | MPSA42RLRPG | 2SC5874S | BLX69 | 2SC780G
History: BF242 | KRA571U | UMT13007 | MPSA42RLRPG | 2SC5874S | BLX69 | 2SC780G



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor