MRF10350 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF10350 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF10350
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1590 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: 335E-01

 Аналоги (замена) для MRF10350

 

MRF10350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  motorola
 mrf10350.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF10350/D The RF Line Microwave Pulse MRF10350 Power Transistor Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz Output Power = 350 Watts Peak 350 W (PEAK) Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ) 1025 1150 MHz MICROWAVE

 ..2. Size:183K  macom
 mrf10350.pdf pdf_icon

MRF10350

MRF10350 Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 350W (peak), 1025 1150MHz Product Image Designed for 1025 1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode S transmitters. Guaranteed performance @ 1090 MHz Output power = 350 W Peak Gain = 8.5 dB min, 9.0 dB (typ.) 100% tested for load

 7.1. Size:100K  motorola
 mrf1035mbrev0.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MB/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MB Power Transistors Designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum Gain = 10 dB MIC

 7.2. Size:113K  motorola
 mrf1035m.pdf pdf_icon

MRF10350

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1035MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1035MA Power Transistors MRF1035MB . . . designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 35 Watts Peak 35 W (PEAK), 960 1215 MHz Minimum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF1002MB , MRF10031 , MRF1004MA , MRF1004MB , MRF10120 , MRF10150 , MRF1015MA , MRF1015MB , A1013 , MRF10502 , MRF1090MA , MRF1090MB , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , MRF1946A .

 

 
Back to Top

 


 
.