Справочник транзисторов. MRF1150MA

 

Биполярный транзистор MRF1150MA Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1150MA
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 583 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: 332-04
 

 Аналог (замена) для MRF1150MA

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1150MA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  motorola
 mrf1150ma mrf1150mb.pdf pdf_icon

MRF1150MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1150MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1150MAPower TransistorsMRF1150MBDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 150 Watts Peak150 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 7.8 dBMICROWA

 ..2. Size:104K  motorola
 mrf1150ma.pdf pdf_icon

MRF1150MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1150MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1150MAPower TransistorsDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 150 Watts Peak150 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 7.8 dBMICROWAVE POWER

 ..3. Size:255K  hgsemi
 mrf1150ma.pdf pdf_icon

MRF1150MA

HG RF POWER TRANSISTORMRF1150MASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTORDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 150 Watts PeakMinimum Gain = 7.8 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR Industry St

 0.1. Size:128K  motorola
 mrf1150marev8.pdf pdf_icon

MRF1150MA

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1150MA/DThe RF LineMicrowave PulseMRF1150MAPower TransistorsMRF1150MBDesigned for Class B and C common base amplifier applications in shortpulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 VdcOutput Power = 150 Watts Peak150 W PEAK, 9601215 MHzMinimum Gain = 7.8 dBMICROWA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF10120 , MRF10150 , MRF1015MA , MRF1015MB , MRF10350 , MRF10502 , MRF1090MA , MRF1090MB , 2SD669A , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , MRF1946A , MRF235 , MRF240 , MRF247 , MRF260 .

 

 
Back to Top

 


 
.