MRF1150MA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF1150MA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 583 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: 332-04

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF1150MA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1150MA даташит

 ..1. Size:128K  motorola
mrf1150ma mrf1150mb.pdfpdf_icon

MRF1150MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1150MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1150MA Power Transistors MRF1150MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak 150 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 7.8 dB MICROWA

 ..2. Size:104K  motorola
mrf1150ma.pdfpdf_icon

MRF1150MA

 ..3. Size:255K  hgsemi
mrf1150ma.pdfpdf_icon

MRF1150MA

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1150MA Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak Minimum Gain = 7.8 dB 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10 1 VSWR Industry St

 0.1. Size:128K  motorola
mrf1150marev8.pdfpdf_icon

MRF1150MA

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1150MA/D The RF Line Microwave Pulse MRF1150MA Power Transistors MRF1150MB Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters. Guaranteed Performance @ 1090 MHz, 50 Vdc Output Power = 150 Watts Peak 150 W PEAK, 960 1215 MHz Minimum Gain = 7.8 dB MICROWA

Другие транзисторы: MRF10120, MRF10150, MRF1015MA, MRF1015MB, MRF10350, MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, D880, MRF1150MB, MRF16006, MRF1946, MRF1946A, MRF235, MRF240, MRF247, MRF260