MRF1946A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF1946A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: 145A-09

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF1946A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1946A даташит

 ..1. Size:141K  motorola
 mrf1946 mrf1946a.pdf pdf_icon

MRF1946A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1946/D The RF Line NPN Silicon MRF1946 Power Transistors MRF1946A . . . designed for 12.5 volt large signal power amplifiers in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance 30 W, 136 220 MHz Output Power = 30 Watts RF POWER Power Gain = 10 dB

 ..2. Size:243K  hgsemi
 mrf1946a.pdf pdf_icon

MRF1946A

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1946A Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for 12.5 volt large signal power amplifiers in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance Output Power = 30 Watts Power Gain = 10 dB Efficiency = 60% CASE 211 07, STYLE 1 Diffused Emitter Resistor B

 7.1. Size:141K  motorola
 mrf1946r.pdf pdf_icon

MRF1946A

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF1946/D The RF Line NPN Silicon MRF1946 Power Transistors MRF1946A . . . designed for 12.5 volt large signal power amplifiers in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance 30 W, 136 220 MHz Output Power = 30 Watts RF POWER Power Gain = 10 dB

 7.2. Size:242K  hgsemi
 mrf1946.pdf pdf_icon

MRF1946A

HG RF POWER TRANSISTOR MRF1946 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for 12.5 volt large signal power amplifiers in commercial and industrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance Output Power = 30 Watts Power Gain = 10 dB Efficiency = 60% CASE 211 07, STYLE 1 Diffused Emitter Resistor Ba

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF10350, MRF10502, MRF1090MA, MRF1090MB, MRF1150MA, MRF1150MB, MRF16006, MRF1946, 2222A, MRF235, MRF240, MRF247, MRF260, MRF261, MRF2628, MRF264, MRF314A