Справочник транзисторов. MRF1946A

 

Биполярный транзистор MRF1946A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF1946A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: 145A-09
 

 Аналог (замена) для MRF1946A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF1946A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  motorola
 mrf1946 mrf1946a.pdf pdf_icon

MRF1946A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1946/DThe RF LineNPN SiliconMRF1946Power TransistorsMRF1946A. . . designed for 12.5 volt largesignal power amplifiers in commercial andindustrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance30 W, 136220 MHzOutput Power = 30 WattsRF POWERPower Gain = 10 dB

 ..2. Size:243K  hgsemi
 mrf1946a.pdf pdf_icon

MRF1946A

HG RF POWER TRANSISTORMRF1946ASemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for 12.5 volt largesignal power amplifiers in commercial andindustrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz PerformanceOutput Power = 30 WattsPower Gain = 10 dBEfficiency = 60%CASE 21107, STYLE 1 Diffused Emitter Resistor B

 7.1. Size:141K  motorola
 mrf1946r.pdf pdf_icon

MRF1946A

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF1946/DThe RF LineNPN SiliconMRF1946Power TransistorsMRF1946A. . . designed for 12.5 volt largesignal power amplifiers in commercial andindustrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz Performance30 W, 136220 MHzOutput Power = 30 WattsRF POWERPower Gain = 10 dB

 7.2. Size:242K  hgsemi
 mrf1946.pdf pdf_icon

MRF1946A

HG RF POWER TRANSISTORMRF1946SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for 12.5 volt largesignal power amplifiers in commercial andindustrial equipment. High Common Emitter Power Gain Specified 12.5 V, 175 MHz PerformanceOutput Power = 30 WattsPower Gain = 10 dBEfficiency = 60%CASE 21107, STYLE 1 Diffused Emitter Resistor Ba

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF10350 , MRF10502 , MRF1090MA , MRF1090MB , MRF1150MA , MRF1150MB , MRF16006 , MRF1946 , SS8050 , MRF235 , MRF240 , MRF247 , MRF260 , MRF261 , MRF2628 , MRF264 , MRF314A .

History: MRF16006 | MRF1150MA | 2SC819

 

 
Back to Top

 


 
.