MRF392 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF392
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 270 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: 744A-01
MRF392 Datasheet (PDF)
mrf392.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q
mrf392.pdf
MRF392 The RF Line Controlled Q Broadband Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 125W, 30 to 500MHz, 28V Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier Product Image stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 V, 400 MHz characteristics Output power = 125 W Typical gain = 10 dB Efficiency = 55% (ty
mrf392re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q
mrf392rev8.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q
Другие транзисторы... MRF247 , MRF260 , MRF261 , MRF2628 , MRF264 , MRF314A , MRF315A , MRF329 , 2SD669 , MRF393 , MRF410 , MRF412 , MRF427A , MRF429 , MRF448 , MRF449A , MRF450A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134









