MRF392 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

MRF392 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MRF392
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 270 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: 744A-01

 Аналоги (замена) для MRF392

 

MRF392 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  motorola
mrf392.pdfpdf_icon

MRF392

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q

 ..2. Size:217K  macom
mrf392.pdfpdf_icon

MRF392

MRF392 The RF Line Controlled Q Broadband Power Transistor M/A-COM Products Released - Rev. 07.07 125W, 30 to 500MHz, 28V Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier Product Image stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 V, 400 MHz characteristics Output power = 125 W Typical gain = 10 dB Efficiency = 55% (ty

 0.1. Size:132K  motorola
mrf392re.pdfpdf_icon

MRF392

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q

 0.2. Size:145K  motorola
mrf392rev8.pdfpdf_icon

MRF392

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF392/D The RF Line NPN Silicon Push-Pull MRF392 RF Power Transistor Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 30 to 500 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics Output Power = 125 W 125 W, 30 to 500 MHz Typical Gain = 10 dB CONTROLLED Q

Другие транзисторы... MRF247 , MRF260 , MRF261 , MRF2628 , MRF264 , MRF314A , MRF315A , MRF329 , 2SD669 , MRF393 , MRF410 , MRF412 , MRF427A , MRF429 , MRF448 , MRF449A , MRF450A .

 

 
Back to Top

 


 
.