MRF587 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор MRF587 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: MRF587
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5500 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: 244A-01

Аналоги (замена) для MRF587

MRF587 Datasheet (PDF)

..1. Size:155K motorola
mrf587.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF587/DThe RF LineNPN SiliconMRF587High-Frequency Transistor. . . designed for use in highgain, lownoise, ultralinear, tuned and widebandamplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications. Low Noise Figure NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mANF = 3.0 dB @ 0.5 GHz

..2. Size:291K hgsemi
mrf587.pdf

HG RF POWER TRANSISTORMRF587SemiconductorsHGROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR. . . designed for use in highgain, lownoise, ultralinear, tuned and widebandamplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications. Low Noise Figure NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA High Power Gain GU(max) = 16.5 dB (Typ) @ f = 500 MHz

0.1. Size:155K motorola
mrf587re.pdf

9.1. Size:155K motorola
mrf5811lt1.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF5811LT1/DThe RF LineMRF5811LT1NPN SiliconHigh-Frequency TransistorDesigned for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz.IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISEHIGHFREQUENCY Low Intermodulation DistortionTRANSISTOR High GainNPN SILICON StateoftheArt Technology

9.2. Size:222K motorola
mrf581re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF581/DThe RF LineMRF581NPN SiliconMRF581AHigh-Frequency TransistorsMRF5812, R1, R2Designed for high current low power amplifiers up to 1.0 GHz. Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) Low Intermodulation DistortionIC = 200 mA High GainLOW NOISE StateoftheArt TechnologyHIGHFREQUENCYFine L

9.3. Size:155K motorola
mrf5811l.pdf