MRF587 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF587  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 34 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 17 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: 244A-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF587

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF587 даташит

 ..1. Size:155K  motorola
 mrf587.pdf pdf_icon

MRF587

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF587/D The RF Line NPN Silicon MRF587 High-Frequency Transistor . . . designed for use in high gain, low noise, ultra linear, tuned and wideband amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications. Low Noise Figure NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA NF = 3.0 dB @ 0.5 GHz

 ..2. Size:291K  hgsemi
 mrf587.pdf pdf_icon

MRF587

HG RF POWER TRANSISTOR MRF587 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR . . . designed for use in high gain, low noise, ultra linear, tuned and wideband amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications. Low Noise Figure NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA High Power Gain GU(max) = 16.5 dB (Typ) @ f = 500 MHz

 0.1. Size:155K  motorola
 mrf587re.pdf pdf_icon

MRF587

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF587/D The RF Line NPN Silicon MRF587 High-Frequency Transistor . . . designed for use in high gain, low noise, ultra linear, tuned and wideband amplifiers. Ideal for use in CATV, MATV, and instrumentation applications. Low Noise Figure NF = 3.0 dB (Typ) @ f = 500 MHz, IC = 90 mA NF = 3.0 dB @ 0.5 GHz

 9.1. Size:155K  motorola
 mrf5811lt1.pdf pdf_icon

MRF587

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF5811LT1/D The RF Line MRF5811LT1 NPN Silicon High-Frequency Transistor Designed for high current, low power amplifiers up to 1.0 GHz. IC = 200 mA Low Noise (2.0 dB @ 500 MHz) LOW NOISE HIGH FREQUENCY Low Intermodulation Distortion TRANSISTOR High Gain NPN SILICON State of the Art Technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF492A, MRF497, MRF544, MRF545, MRF555, MRF572, MRF581, MRF581A, BD139, MRF630, MRF650, MRF652, MRF652S, MRF653, MRF654, MRF658, MRF839