MRF658 datasheet, аналоги, параметры транзистора

MRF658 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF658 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: 316-01

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для MRF658

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

MRF658 даташит

..1. Size:127K motorola
mrf658.pdf pdf_icon

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF658/D The RF Line NPN Silicon MRF658 RF Power Transistor Designed for 12.5 Volt UHF large signal, common emitter, class C amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 520 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 65 Watts Minimum Gain = 4.15 dB 65 W, 512 M

..2. Size:255K hgsemi
mrf658.pdf pdf_icon

HG RF POWER TRANSISTOR MRF658 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR Designed for 12.5 Volt UHF large signal, common emitter, class C amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 520 MHz. Specified 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics Output Power = 65 Watts Minimum Gain = 4.15 dB Minimum Efficiency = 50% Characterized

0.1. Size:93K motorola
mrf658rev7.pdf pdf_icon